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#Tendenze
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Profondità ultraveloce che profila da PP-TOFMS
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Guardi il nostro video e scopra una nuova tecnica di descrizione materiale già d'applicazione in uno strumento molto compatto e disponibile nel commercio. Capisca come potete ottenere in pochi minuti la distribuzione elementare di profondità di tutto l'elemento per una vasta gamma dei materiali. La velocità di plasma che profila TOFMS deriva da un plasma di polverizzazione di energia ad alta densità e bassa e dalla rilevazione totale completa ultraveloce di riempimento TOFMS.
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La preparazione minima del campione accoppiata senza l'ambiente di trasferimento del campione di UHV inoltre contribuisce all'alta velocità dell'analisi e rende a PP-TOFMS un attrezzo facile da usare facilmente attuabile in varie applicazioni di ingegneria e scientifiche.
Strati di analisi di PP-TOFMS gli darà le risposte rapide circa il vostro “appena-depositati„ o “appena-procedati„ o tutto il campione che solido desiderate analizzare. Fornirà informazioni importanti su distribuzione di profondità degli elementi importanti, sui profili dei dopant, sull'identificazione degli agenti inquinanti inattesi e sulla qualità delle interfacce all'interno della scala di nanometro. È importante notare che non solo tutto l'elemento può essere rilevato ma la tecnica è inoltre “quasi ugualmente sensibile„ a tutti gli elementi, tranne la H, la C, il N e la O, poiché il processo di ionizzazione completamente è separato dal processo di polverizzazione. Ciò consente un'analisi standard-libera e istantanea di semi-quantificazione del vostro campione con una gamma di concentrazione atomica che misura gli ordini delle grandezze in una singola misura.
PP-TOFMS lo conserverà tempo nell'ottimizzazione del processo di deposito di strato e del metodo di montaggio per una vasta gamma delle applicazioni dei materiali quali le microelettroniche, il photovoltaics e l'optoelettronica.