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Nuovo sistema di misura ad effetto hall - Linseis L79/HCS

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Il nuovo sistema di misura ad effetto hall di L79/HCS da Linseis consente la descrizione dei dispositivi a semiconduttore. I materiali compreso il Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (il tipo di N & il tipo di P possono essere misurati), metallo mette a strati, gli ossidi, possono essere misurati facilmente. Misure di L79/HCS:

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- Concentrazione in elemento portante

- Resisitivity

- Mobilità

- Conducibilità

- Rapporto orizzontale/verticale dell'alfa (di resistenza)

- Coefficente di corridoio

- Megnetoresistance

Le offerte da tavolino robuste di messa a punto:

- Supporti differenti del campione per varie geometrie

- Una temperatura insufficiente facoltativa (LN2) alla versione 250°C

- Una versione a temperatura elevata fino a 700°C

- Misura in quasi ogni genere di atmosfera (azoto, ossigeno, elio, l'argon, vuoto)

- I magneti permanenti ed elettrici differenti forniscono i campi magnetici fissi o variabili fino ai parecchi tessla.

- Il software basato su Windows completo fornisce il diagramma di I-R e di IV.