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Controllo della composizione dello strato di ossido nella formazione di cristalli di superconduttore

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L'analizzatore CGA351 di Panametrics è stato utilizzato per controllare il flusso di ossigeno da una bombola

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Applicazione
Il controllo dello strato di ossido è fondamentale per la produzione di materiali superconduttori. La ricerca ha dimostrato che il controllo preciso del contenuto di ossigeno è necessario per ottenere le proprietà desiderate nei materiali.

Sfondo
Un contenitore con una copertura trasparente contiene materiali che devono essere cristallizzati e trasformati in superconduttori. Il tasso di sviluppo e la purezza dei cristalli dipendono dalla temperatura e dalla quantità di ossigeno presente nel sistema. All'avvio, il sistema viene spurgato con argon. Quando la temperatura si avvicina al punto stabilito, viene aggiunto ossigeno in modo che l'atmosfera contenga una concentrazione del 2% di ossigeno in argon.
Un'università ha contribuito allo sviluppo di superconduttori per l'industria energetica. La quantità di ossigeno doveva essere controllata per un corretto sviluppo dei cristalli. Per controllare con precisione la concentrazione di ossigeno era necessario un monitor per l'ossigeno. In precedenza, l'ossidazione veniva controllata attraverso il monitoraggio visivo dei cristalli.

L'installazione
L'analizzatore CGA351 è stato installato e l'uscita 4-20 mA è stata utilizzata per controllare il flusso di ossigeno da una bombola al fine di mantenere il livello al 2% in volume.

Vantaggi
Dopo una dimostrazione, è stato scelto un analizzatore di ossigeno a base di ossido di zirconio per la sua risposta rapida, il basso volume di campioni, il prezzo interessante e la facilità di installazione. La rapidità di risposta di questo analizzatore era molto importante per la natura della reazione. Il basso volume di campione è fondamentale a causa del piccolo volume all'interno della camera di reazione.

Apparecchiatura
È stato utilizzato un analizzatore di ossigeno Panametrics CGA 351 Zirconia.

Specifiche:
- Applicazione: 0% - 21% di ossigeno in argon (tipicamente 2% di ossigeno)
- Pressione: atmosferica al punto di campionamento nella cabina di purgazione
- Temperatura: ambiente al punto di campionamento nella cabina di spurgo