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I semiconduttori di potere del nitruro del gallio hanno raffreddamento della parte superiore

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GaN Systems Inc. ha annunciato la tecnologia di raffreddamento della nuova parte superiore nella relativa vasta gamma dei dispositivi ad alta potenza di aumento-modo

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Il raffreddamento della parte superiore permette agli assistenti tecnici di usare le tecniche di raffreddamento convenzionali e bene-capite del PWB quando incorpora i semiconduttori mercato-principali dei sistemi di GaN nei loro ultimi disegni per i prodotti quali gli invertitori, l'UPS, i veicoli elettrici ibridi/veicoli elettrici, la conversione ad alta tensione di DC-DC ed i generi di consumo quali le TV.

I transistori di potere del nitruro del gallio dei sistemi di GaN sono basati sulla relativa isola riservata Technology® - il dado consiste delle isole piuttosto che le barrette tradizionali, che porta i vantaggi significativi in termini di migliore trattamento corrente, induttanza più bassa, rappresentazione in scala, isolamento ed amministrazione termica, così come permettere più piccolo muoiono e l'abbassamento del costo. I dispositivi di aumento-modo dei sistemi di GaN con le valutazioni correnti che variano da 8A a 250A sono trasportati nel relativo imballaggio riservato di GaNPX: il dado è incastonato all'interno di una costruzione laminata e una serie di processi galvanici sostituisce le tecniche convenzionali quali le clip, i legami del legare ed i residui di modellatura. Questi transistori di commutazione vicini-chipscale di alto potere ora sono impaccati per essere raffreddati via la parte superiore del circuito integrato usando un dissipatore di calore o un ventilatore - tecniche convenzionali che bene-sono capite e del familiare ai tecnici della progettazione che possono essere non pratici con per mezzo dei dispositivi di GaN o usando per la prima volta.

I transistori di GaN possono anche essere raffreddati dal fondo del dado con la conduzione al PWB.