ROHM avvia la produzione di HEMT GaN da 150 V: dotati di un'innovativa tensione di gate di resistenza a 8 V

Gli HEMT GaN ROHM 150V, serie GNE10xxTB (GNE1040TB) aumentano la tensione di tenuta del gate (tensione nominale gate-source) a 8V leader del settore, ideali da applicare nei circuiti di alimentazione per apparecchiature industriali come stazioni base

Negli ultimi anni, a causa della crescente domanda di sistemi server in risposta al crescente numero di dispositivi IoT, il miglioramento dell'efficienza di conversione dell'energia e la riduzione delle dimensioni sono diventate importanti questioni sociali che richiedono ulteriori progressi nel settore dei dispositivi di alimentazione.

Poiché i dispositivi GaN generalmente forniscono caratteristiche di commutazione più elevate e una resistenza ON inferiore rispetto ai dispositivi al silicio, si prevede che contribuiscano a un minore consumo energetico di vari alimentatori ea una maggiore miniaturizzazione dei componenti periferici.

Insieme a dispositivi SiC leader del settore e dispositivi al silicio ricchi di funzionalità, ROHM ha sviluppato dispositivi GaN che ottengono un funzionamento ad alta frequenza superiore nella gamma di media tensione, consentendoci di fornire soluzioni di alimentazione per una più ampia varietà di applicazioni.

Questi nuovi prodotti utilizzano una struttura originale che aumenta la tensione nominale gate-source dai convenzionali 6V a 8V. Di conseguenza, viene impedito il degrado, anche se durante la commutazione si verificano sovratensioni superiori a 6 V, contribuendo a migliorare il margine di progettazione e una maggiore affidabilità nei circuiti di alimentazione. La serie GNE10xxTB è offerta in un pacchetto altamente versatile caratterizzato da una dissipazione del calore superiore e un'elevata capacità di corrente, facilitando la manipolazione durante il processo di montaggio.

ROHM ha registrato dispositivi GaN che contribuiscono a un maggiore risparmio energetico e miniaturizzazione con il nome EcoGaN™ e sta lavorando per espandere la gamma con dispositivi che migliorano le prestazioni. In futuro, ROHM continuerà a sviluppare circuiti integrati di controllo che sfruttano la tecnologia di alimentazione analogica come Nano Pulse Control™ e moduli che incorporano questi circuiti integrati, insieme a soluzioni di alimentazione che contribuiscono a una società sostenibile massimizzando le prestazioni dei dispositivi GaN.