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Zoolied offre una varietà di wafer di vetro ottico

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I wafer di silicio sono un materiale indispensabile per la produzione di semiconduttori, presenti in diversi dispositivi elettronici della nostra vita.

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Il wafer di silicio deve essere lucidato fino a diventare un disco superpiatto simile a uno specchio e ogni piccola irregolarità sulla superficie del wafer di silicio deve essere rimossa il più possibile per renderlo l'oggetto più piatto del mondo. I sottili wafer di Si sono puliti, quasi privi di particelle e altre impurità. È proprio per queste qualità necessarie che Zoolied sceglie i wafer di silicio come miglior materiale di substrato per la produzione di semiconduttori.

La produzione di wafer di silicio prevede solitamente le seguenti fasi:

1) cristallizzazione lunga, che può essere suddivisa in CZ e FZ, perché il materiale policristallino fuso sarà direttamente a contatto con il crogiolo di quarzo, quindi le impurità presenti nel crogiolo di quarzo contamineranno il policristallino fuso. Il metodo CZ è adatto alla trafilatura di wafer di silicio di grande diametro (300 mm), che attualmente è il principale materiale per wafer di silicio per semiconduttori. Poiché le materie prime policristalline non sono a contatto con il crogiolo di quarzo, ci sono pochi difetti interni e un basso contenuto di carbonio e ossigeno, ma il prezzo è elevato e il costo è alto. È adatto per dispositivi ad alta potenza e per alcuni prodotti di fascia alta.

2) L'affettatura e l'imbutitura della barra di silicio a cristallo singolo richiedono il taglio del materiale di testa e di coda, quindi la laminazione e la rettifica del diametro richiesto, il taglio del bordo piatto o della scanalatura a V e il taglio in wafer di silicio sottile. Attualmente si utilizza solitamente la tecnologia di taglio a filo diamantato, con un'elevata efficienza e una buona curvatura e deformazione del wafer di silicio. Un piccolo numero di pezzi di forma speciale può essere tagliato con un cerchio interno.

3) rettifica: dopo l'affettatura, lo strato danneggiato sulla superficie di taglio deve essere rimosso mediante rettifica per garantire la qualità della superficie del wafer di silicio, circa 50um.

4) corrosione: la corrosione consiste nell'ulteriore rimozione dello strato danneggiato causato dal taglio e dalla rettifica, in modo da prepararsi al successivo processo di lucidatura. La corrosione comprende solitamente la corrosione alcalina e la corrosione acida. Attualmente, a causa di fattori ambientali, la maggior parte di essi adotta la corrosione alcalina. La quantità di corrosione asportata può raggiungere i 30-40um e la rugosità della superficie può anche raggiungere il livello del micron.

5) lucidatura: la lucidatura è un processo importante per la produzione di wafer di silicio. La lucidatura consiste nel migliorare ulteriormente la qualità della superficie del wafer di silicio attraverso la tecnologia CMP (chemical mechanical polished), in modo da soddisfare i requisiti della produzione di chip. Dopo la lucidatura, la rugosità superficiale è solitamente RA < 5A.

6) pulizia e confezionamento: poiché la larghezza di linea del circuito integrato è sempre più piccola, i requisiti per migliorare l'indice di dimensione delle particelle sono sempre più elevati. Anche la pulizia e il confezionamento sono un processo importante per la produzione di wafer di silicio. La maggior parte delle particelle attaccate alla superficie del wafer di silicio > 0,3um possono essere pulite con una pulizia megasonica, quindi la superficie del wafer di silicio può essere confezionata con un imballaggio sottovuoto o con gas inerte con una scatola priva di pulizia.

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