Pubblicata il 09/06/2023
Come nuova generazione di materiali semiconduttori, il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN) presentano vantaggi ineguagliabili rispetto ai tradizionali materiali Si.
La loro larghezza di banda proibita è circa 3 volte quella del Si e l'intensità del campo di rottura è circa 10 volte quella del Si. Elevata potenza, elevata mobilità del vettore, rapida velocità dell'elettrone saturo, resistenza alle alte temperature e alle alte pressioni, alta efficienza energetica, basse perdite e altre caratteristiche eccellenti soddisfano scenari ad...