{{{sourceTextContent.title}}}

Conoscenza di base dell'IGBT

{{{sourceTextContent.subTitle}}}

Parametri statici dell'IGBT

{{{sourceTextContent.description}}}

I parametri statici dell'IGBT si riferiscono principalmente ai parametri rilevanti che sono inerenti all'IGBT stesso e non hanno nulla a che fare con le sue condizioni di lavoro. Solo quando i parametri statici dell'IGBT non presentano problemi, è possibile testare i parametri dinamici (tempo di commutazione, perdita di commutazione, recupero inverso del diodo di freewheeling), il ciclo di potenza e l'affidabilità dell'HTRB.

Vediamo quindi il significato degli indicatori di questi dieci parametri:

1. Tensione collettore-emettitore VCES

In condizioni di cortocircuito gate-emettitore, la tensione massima che può essere sopportata tra collettore ed emettitore

2. Tensione di saturazione collettore-emettitore VCEsat

Sotto la tensione di gate e la corrente di collettore specificate, la tensione tra il collettore e l'emettitore

3. Tensione di soglia gate-emettitore VGE

Quando la corrente di gate è il valore specificato, la tensione di gate-emitter

4. Tensione di soglia del gate VGE (th)

Tensione del gate-emettitore in corrispondenza della quale la corrente di collettore raggiunge un valore basso o assoluto specificato, utilizzato per misurare la soglia di accensione del gate dell'IGBT

5. Corrente di taglio collettore-emettitore ICES

La corrente che attraversa il collettore a una determinata tensione collettore-emettitore e a un cortocircuito gate-emettitore

6. Corrente di dispersione gate-emettitore IGES

La corrente che attraversa il gate a una determinata tensione gate-emitter e a un cortocircuito collettore-emitter

7. Resistenza di gate rg

Resistenza interna in serie del gate

8. Capacità di uscita Coes

Capacità parassita misurata tra collettore ed emettitore con cortocircuito gate-emettitore

9. Capacità di ingresso Cies

Capacità parassita tra gate ed emettitore

10. Capacità di trasmissione inversa Cres

Capacitanza tra il terminale del collettore e il terminale del gate

Gli elementi del test dei parametri statici degli IGBT sono numerosi e complicati e i diversi parametri hanno metodi di test diversi.